Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFRC20TRPBF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFRC20

IRFRC20TRPBF Hakkında

IRFRC20TRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.4Ω maksimum RDS(on) değeri ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri ve yüksek gerilim kontrol devrelerinde uygulanabilir. TO-252 DPak paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 10V gate sürüş gerilimine sahip transistör, düşük güç disipasyonu ve kompakt tasarımı ile endüstriyel ve tüketim elektroniğinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok