Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR9N20DTRLPBF

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR9N20D

IRFR9N20DTRLPBF Hakkında

IRFR9N20DTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 9.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate-source voltajında 380mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) değerine sahiptir. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik devrelerinde kullanılır. 27nC gate charge ve 560pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok