Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9N20D
IRFR9N20DTRL Hakkında
IRFR9N20DTRL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 9.4A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 380mΩ on-resistance değerine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. TO-252 DPak paket tipi ile yüzey montajına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 86W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok