Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9N20DTR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9N20D
IRFR9N20DTR Hakkında
IRFR9N20DTR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 9.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DPak (TO-252-3) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 27nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 86W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok