Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9N20D
IRFR9N20DPBF Hakkında
IRFR9N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 380mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 27nC gate charge ve 560pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 86W güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok