Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR9210TR

MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR9210

IRFR9210TR Hakkında

IRFR9210TR, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 3Ohm on-resistance değeri ile verimli komütasyon sağlar. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan IRFR9210TR, ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uygulamalar için uygundur. Güç yönetimi, invertör devreleri ve düşük frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 8.9nC gate charge değeri sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Junction sıcaklığında 25W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok