Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9120NCPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9120
IRFR9120NCPBF Hakkında
IRFR9120NCPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim, 6.6A sürekli drenaj akımı ve 480mΩ (maksimum) on-resistance ile karakterize edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 27nC ve input kapasitansi 350pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu transistör, ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. Düşük Rds(on) değeri ısıl disipasyonu azaltmaya yardımcı olur. Not: Bu bileşen üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok