Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9110TR
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9110
IRFR9110TR Hakkında
IRFR9110TR, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 3.1A sürekli drain akımı ve 1.2Ω on-resistance özelliğine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Düşük gate charge (8.7nC) ve kompakt paketleme özellikleriyle güç anahtarlama, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 2.5W (Ta) maksimum güç tüketiminde çalışır. Sürücü devreleri, röle kontrol ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok