Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR9110TF

100V P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR9110

IRFR9110TF Hakkında

IRFR9110TF, Rochester Electronics tarafından üretilen 100V P-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 3.1A sürekli dren akımı ve 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrolü gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 25W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan IRFR9110TF, ±20V gate gerilimi toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok