Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR9110
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR9110
IRFR9110 Hakkında
IRFR9110, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 3.1A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan IRFR9110, 1.2Ω Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynağı kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge (8.7nC) hızlı anahtarlama için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok