Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR825TRPBF

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR825

IRFR825TRPBF Hakkında

IRFR825TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) kasa tipi ile yüksek yoğunlukta devre tasarımlarına uyarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve güç yönetim devrelerinde kullanılabilir. 1.3Ω maksimum on-direnci ile verimli enerji iletimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok