Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR825PBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR825
IRFR825PBF Hakkında
IRFR825PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.3Ohm (max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüler, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1346 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok