Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR5410
IRFR5410PBF Hakkında
IRFR5410PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi, 13A sürekli drenaj akımı ve 205mΩ maksimum Rds(On) değerleri ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanım görmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 66W maksimum güç tüketebilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Üretici tarafından üretim durdurulmuş olsa da, mevcut stoklar pazarda bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok