Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR430BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR430
IRFR430BTM Hakkında
IRFR430BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω (10V, 1.75A) on-resistance değerine sahip bu bileşen, elektrik enerjisinin verimli şekilde kontrolünü sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulan IRFR430BTM, DC-DC konvertörlerde, inverter devrelerinde ve motor sürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketimi özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok