Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR430BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR430B
IRFR430BTF Hakkında
IRFR430BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 3.5A kontinü drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.5Ω maksimum On-state drain-source direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. TO-252-3 (DPak) surface mount pakajında sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç denetim uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda yer bulur. 33nC gate charge ve 1050pF input capacitance (25V'de) hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok