Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR430ATRRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR430

IRFR430ATRRPBF Hakkında

IRFR430ATRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 1.7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge karakteristiği (24nC) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Yüksek gerilim endüstriyel uygulamaları ve anahtarlayıcı güç kaynakları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok