Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR422
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR422
IRFR422 Hakkında
IRFR422, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 500V drain-source gerilim ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 4Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilen IRFR422, güç kaynağı uygulamaları, motor kontrolü ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. ±20V kapı gerilimi aralığında ve 19nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok