Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR421

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR421

IRFR421 Hakkında

IRFR421, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok