Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR4104PBF

HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR4104

IRFR4104PBF Hakkında

IRFR4104PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 40V drain-source voltaj ve 42A sürekli drain akım kapasitesiyle, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ düşük on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok