Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR3518PBF
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR3518
IRFR3518PBF Hakkında
IRFR3518PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 38A sürekli dren akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 29mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 110W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok