Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR3412
IRFR3412PBF Hakkında
IRFR3412PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 48A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 25mΩ on-state direnci, 10V gate sürücü voltajı ile çalışır. TO-252 (DPak) paketlemesiyle yüzey montajlı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerinde, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 140W güç dağıtabilir. Gate şarj miktarı 89nC olup hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için uygundur. (Not: Bu ürün obsolete durumdadır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok