Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR3411PBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR3411
IRFR3411PBF Hakkında
IRFR3411PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 32A sürekli drenaj akımı (Id) ile karakterize edilir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulur. 44mΩ maksimum kapalı-devreçi direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 130W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge 71nC ve input capacitance 1960pF'dir. Bu transistör, motor kontrolü, dc-dc konvertörleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate-source geriliminde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok