Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR3410
IRFR3410PBF Hakkında
IRFR3410PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 31A sürekli akım yetenek sağlayan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 3W Ta ve 110W Tc güç yayılım kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 56nC gate charge ve 1690pF input kapasitansi değerleri hızlı komütasyon özellikleri sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu parça Rochester Electronics tarafından üretilmekte olup Digi-Key'de üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok