Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR330BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR330
IRFR330BTM Hakkında
IRFR330BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilim ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında 1Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) sunmaktadır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sağlanan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve elektrik arayüzü uygulamalarında kullanılır. 33nC gate charge ve 1000pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok