Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR3303TRPBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR3303
IRFR3303TRPBF Hakkında
IRFR3303TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajı ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 31mΩ maksimum on-direnci ile verimli komütasyon sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketidir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 57W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok