Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR321

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR321

IRFR321 Hakkında

IRFR321, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 350V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 50W güç tüketim kapasitesinde tasarlanmıştır. ±20V gate gerilimi toleransı ile çeşitli kontrol devrelerine entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok