Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR310BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR310

IRFR310BTF Hakkında

IRFR310BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 400V drenaj-kaynak voltajı ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 3.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. SMPS devreleri, motor kontrol, solenoid sürücüleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 850mA,10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok