Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR2905ZPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR2905Z

IRFR2905ZPBF Hakkında

IRFR2905ZPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 55V drain-source gerilimi ile 42A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 14.5mΩ @ 36A, 10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile öne çıkmaktadır. Güç amplifikatörleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, yük anahtarlama uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 110W güç dağılımı kapasitesi ile ağır yük koşullarında çalışabilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenilir işlem yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok