Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR230BTM_AM002
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR230BTM
IRFR230BTM_AM002 Hakkında
IRFR230BTM_AM002, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketiyle sunulan cihaz, 400mΩ on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. Gate eşik gerilimi 4V olup, ±30V gate gerilim aralığında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında stabil performans gösteren bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok