Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR222
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR222
IRFR222 Hakkında
IRFR222, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V Drain-Source gerilim, 3.8A sürekli dren akımı ve 1.2Ω maksimum on-direnci özellikleriyle tasarlanmıştır. Yüksek geçiş hızı ve düşük kapasitans değerleriyle (330 pF @ 25V) güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motorlar, AC/DC dönüştürücüler, inverterler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 50W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok