Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR221
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR221
IRFR221 Hakkında
IRFR221, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 4.6A sürekli akım kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 800mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde çeşitli ortamlarda kullanıma uygundur. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş karakteristikler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok