Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR220BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR220B
IRFR220BTM Hakkında
IRFR220BTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V drain-source voltajına ve 4.6A sürekli drain akımına sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRFR220BTM, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 16nC gate charge ve 390pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon için uygun özellikleri yansıtır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok