Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR214BTFFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR214

IRFR214BTFFP001 Hakkında

IRFR214BTFFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 250V drain-source voltajı ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok