Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR210PBF

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR210

IRFR210PBF Hakkında

IRFR210PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 1.5Ω on-direnç (Rds On) ile karakterize edilmiştir. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük kapı yükü (8.2 nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitansi (140 pF @ 25V) özelliğine sahiptir. Güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok