Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR210BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR210B
IRFR210BTF Hakkında
IRFR210BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj dayanımı ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan IRFR210BTF, 1.5Ω maksimum on-direnci ve 9.3nC gate yükü karakteristikleri ile sahiptir. Düşük güç tüketimi (maksimum 2.5W), geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve ±30V gate voltaj dayanımı nedeniyle motor kontrol, güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok