Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR1N60ATRPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR1N60AT

IRFR1N60ATRPBF-BE3 Hakkında

IRFR1N60ATRPBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount montaj tipi ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 229 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 840mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok