Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR1N60ATRPBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR1N60AT

IRFR1N60ATRPBF Hakkında

IRFR1N60ATRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 7Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarmalı güç kaynakları (SMPS) ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 36W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 229 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 840mA, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok