Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1N60ATR
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1N60A
IRFR1N60ATR Hakkında
IRFR1N60ATR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 7Ohm maksimum on-state direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRFR1N60ATR, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük sinyalli kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate yükü (14nC) ve az giriş kapasitanası (229pF) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 229 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 840mA, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok