Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1N60A
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1N60A
IRFR1N60A Hakkında
IRFR1N60A, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 1.4A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç anahtarlaması ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 229 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 840mA, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok