Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR18N15DTRLP-INF

HEXFET SMPS POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR18N15D

IRFR18N15DTRLP-INF Hakkında

IRFR18N15DTRLP-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET SMPS Power MOSFET transistördür. 150V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 18A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun olan bu transistör, güç kaynakları (SMPS), invertörler, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 43nC gate charge ve 900pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama ve verimli işletim imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok