Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR18N15DPBF-INF
HEXFET SMPS POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR18N15DPBF
IRFR18N15DPBF-INF Hakkında
IRFR18N15DPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET SMPS Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajında 18A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 125mΩ drain-source direnci ve düşük gate charge değeri ile yüksek frekanslı SMPS (Switch Mode Power Supply) devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 110W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok