Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR13N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR13N20D

IRFR13N20DTRL Hakkında

IRFR13N20DTRL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 235mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı özellikleri taşır. Güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 110W güç yayabilir. Maksimum ±30V gate gerilimi ile güvenli kullanım sağlar. Bileşen üretim sona ermiş olup, tedarik kısıtlı olabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok