Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR13N20DPBF-IR
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR13N20DPBF
IRFR13N20DPBF-IR Hakkında
IRFR13N20DPBF-IR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim, 13A sürekli drain akımı ve DPAK (TO-252) yüzey montaj paketlemesi ile sunulmaktadır. 235mOhm (10V, 8A) düşük gate-source direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 110W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok