Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR13N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR13N20D
IRFR13N20DPBF Hakkında
IRFR13N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. Maksimum 110W güç tüketebilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 235mOhm'dur. Güç denetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 38nC gate charge ve 830pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok