Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR13N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR13N15D

IRFR13N15DPBF Hakkında

IRFR13N15DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 180mOhm maksimum RDS(on) değerine ulaşır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç amplifikatörleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 86W maksimum güç saçınımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 29nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli devre tasarımları sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.3A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok