Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR12N25DTRPBF

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR12N25D

IRFR12N25DTRPBF Hakkında

IRFR12N25DTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source geriliminde 14A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 260mOhm RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan transistör, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygunluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok