Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR12N25DPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR12N25D
IRFR12N25DPBF Hakkında
IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate yükü (35 nC) ve 260 mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen IRFR12N25DPBF, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok