Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR120PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR120
IRFR120PBF-BE3 Hakkında
IRFR120PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ile 7.7A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-252 (DPAK) surface mount paketinde sunulmaktadır. 270mΩ maksimum gate-source direnci ve 4V gate threshold voltajı sayesinde düşük güç uygulamalarında etkin anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 42W güç söndürme kapasitesi ve 360pF input kapasitansi ile kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok