Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR120

IRFR120PBF Hakkında

IRFR120PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 7.7A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulur. 270mOhm maksimum ON direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W (Ta) güç saçabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılan ekonomik bir çözümdür. 10V sürücü gerilimi ile uyumlu kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok