Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR120NTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR120N
IRFR120NTRRPBF Hakkında
IRFR120NTRRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim yeteneğine sahip bu komponentin maksimum sürekli dren akımı 9.4A'dir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 210mOhm'luk Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 25nC gate charge ve 330pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 48W güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok